Ze světa výkonové a speciální elektroniky

Napájecí zdroj 1200V/300A s SiC

Společnost ROHM představila nový SiC výkonový napájecí modul 1200V/300A navržený pro invertory a konvertory zařízení pro solární zdroje a průmyslová zařízení. Modul BSM300D12P2E001 s jmenovitou hodnotou 300 A je vhodný pro výkonové aplikace, jako jsou napájecí zdroje s velkou kapacitou. Pracuje s vyšší frekvencí, takže jeho spínací ztráta je o 77 % nižší než u konvenčních IGBT zdrojů, což přispívá k nižším nárokům na chlazení a menším rozměrům přídavných komponentů, jako jsou kondenzátory a cívky.

BSM300D12P2E001 obsahuje optimalizovaný návrh použitého čipu a konstrukce modulu, čímž se výrazně snižuje vnitřní indukčnost. Tím se napomáhá potlačení napěťových špiček vznikajících během spínání. Zdroj je založen na modulu půlmůstku, kde SiC SBD (Schottky Barrier Diode) a SiC-DMOSFET jsou integrovány do jednoho pouzdra. Zahrnuje také zabudovaný termistor, pracuje až do Tjmax = 175 °C. [1]

Lékařský napájecí zdroj 35 W / 45 W / 65 W

Společnost Mean Well uvedla na trh novou generaci svých miniaturních „zelených“ otevřených napájecích zdrojů určených pro zabudování do lékařských přístrojů (Miniature Green Open Frame Type Medical Power Supply). Skupina zdrojů RPS vyhovuje aktuálním energetickým předpisům Level VI. První představené napájecí zdroje série RPS-30/45/65 mají jmenovité hodnoty 30 W, 45 W a 65 W. Všechny vyhovují standardům pro medicínská zařízení IEC60601-1 3rd version, ANSI/AAMI ES60601-1 a TUV EN60601-1. Mají izolační úroveň 2× MOPP a ultranízký svodový proud (<100 μA), který umožňuje u použitého lékařského zařízení aplikace typu BF (Body Floating, kontakt s pacientem).

S ultranízkou spotřebou ve stavu bez zatížení (<0,1 W) jsou tyto napájecí zdroje vhodné pro lékařská diagnostická a monitorovací zařízení, která vyžadují velmi nízké svodové proudy a nízkou spotřebu v pohotovostním režimu. Napájecí zdroje pracují s univerzálním rozsahem vstupního napětí 80 až 264 V. Účinnost mají až 91 % a jejich provozní teplotní rozsah je od –30 do +70 °C. Ochrana zdroje zahrnuje ochranu proti zkratu, přetížení a přepětí. Celkové rozměry jsou 76,2 × 50,8 × 24 mm Mají schválení UL/CUL/TUV/CB/CE a jsou vybaveny červeným LED indikátorem pro stav zapnutí. [2]

Vysokonapěťový SiC MOSFET od Wolfspeed

Firma Wolfspeed představila 1700V SiC MOSFET s označením C2M1000170J v optimalizovaném SMD pouzdru určeném pro komerční použití v pomocných napájecích zdrojích u systémů vysokonapěťových invertorů. Vyšší blokovací napětí umožňuje vývojářům nahradit křemíkové MOSFETy pro nižší napětí novými SiC MOSFETy. Tím se zajistí vyšší účinnost, jednodušší řídicí okruhy a menší teplotní ztráty, čímž se sníží i celková cena systému.

Nové SMD pouzdro, které je navrženo speciálně pro vysokonapěťové MOSFETy, má malou plochu a 7 mm širokou mezeru mezi vývody drain a source kvůli izolaci – to je umožněno malou velikostí čipu a vysokou blokovací schopností SiC planární MOS technologie od Wolfspeed. Nové pouzdro také zahrnuje oddělený vývod pro driver za účelem zlepšení parametrů součástky.

Aplikace nové součástky zahrnuje pomocné napájecí zdroje u výkonných invertorů, jaké jsou používané např. u solárních zdrojů a motorových pohonů, ale také UPS zařízení, konvertorů pro větrné elektrárny, traťových výkonových systémů, ochranných obvodů, displejů, chladicích větráků atd. [3]

Kondenzátory pro aplikace s vysokým napětím

Německý výrobce kondenzátorů, firma FTCAP, rozšířil svou nabídku vysokonapěťových kondenzátorů. Nabízí nyní kondenzátory pro napětí až do 120 kV DC, které jsou ideální např. pro rentgenová zařízení a vysokonapěťové napájecí zdroje. Nové kondenzátory pro aplikace s vysokým napětím jsou konstruovány s ohledem na snadné přizpůsobení požadavkům zákazníka: strmost dU/dt může být individuálně nastavena podle potřeby, přičemž kondenzátory jsou dostupné v různém provedení. [4]

Nabíjení elektrických vozidel rozšiřuje trh s polovodiči

Podle zprávy zveřejněné ve zpravodaji Electronic Design v prosinci 2015 dosahuje počet polovodičových součástek použitých v nabíjecích stanicích elektromobilů vysokých hodnot. Jedná se zejména o výkonové součástky a komunikační čipy, které spojují nabíjecí stanici s rozvodnou sítí. Podle uvedené zprávy začínají být nyní žádané systémy na čipu (SoCs), které zajišťují nejen rychlejší řízení procesů, ale obsahují také paměť požadovanou pro bezpečnou komunikaci. I když je síť nabíjecích stanic stále ještě ve fázi budování, očekává se, že jejich počet bude stoupat, zejména v souvislosti se snahou omezit znečišťování ovzduší výfukovými plyny. V USA je nyní kolem 11 600 nabíjecích stanic a téměř 30 tisíc veřejně dostupných nabíjecích míst (soukromé nabíjecí stanice nejsou evidovány).