Vítejte, dnes je
středa
25.
prosinec 2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky V porovnání s křemíkem, polovodičové materiály skupiny III-V (GaAs, Alx Ga1-xAs, AlAs) poskytují v některých případech mnohem výhodnější intrinsické materiálové i technologické vlastnosti využitelné při návrhu nových pokročilých MEMS prvků a senzorů. Díky těmto intrinsickým fyzikálním vlastnostem a specifickým povrchovým a objemovým nanotvarovacím technikám, MEMS struktury na bázi GaAs zaznamenaly v posledním období zvýšenou pozornost zejména v oblasti výzkumu biochemických senzorů, MEMS senzorů mikrovlnného výkonu [1], [2], MEMS pasivních a aktivních obvodových prvků pro pásmo milimetrových vln [3] a speciálních MEMS prvků [4] vhodných pro vývoj nové snímací sondové mikroskopie povrchů pevných látek (SPM-Scanning probe mikroskopu). Jejich výzkum byl podmíněn právě dosaženou úrovní technologie tvarování AlxGa1-xAs/GaAs membrán, nosníků [5], můstků [6] a zavěšených ostrůvků [7] plně kompatibilních s výrobní technologií AlxGa1-xAs/GaAs HEMT (High Electron Mobility Tranzistor). MEMS chemické senzory na bázi III-V polovodičových materiálů nebyly dosud intenzivně zkoumány, protože vykazují špatnou chemickou stabilitu a jsou problémy s pasivací.
