Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky Fyzikální interpretace existence struktury tranzistoru MOS má velký význam pro rozvoj celé řady senzorů pro měření fyzikálních a chemických parametrů prostředí. V rovnici pro proud kanálem struktury MOSFET je obsažena řada parametrů, které mohou být přímo ovlivněny vnějšími parametry a případnými technologickými modifikacemi. Technologické modifikace původní struktury MOSFET umožňují zvýšení citlivosti, selektivity a zlepšení dalších biosenzorových parametrů. U všech modifikací základní struktury MOS je společné, že povrchový náboj je měřený na čipu v závislosti na elektrickém poli v přilehlé izolační vrstvě. Modifikací původní struktury FET vzniká celá řada senzorů určených pro měření biochemických a chemických parametrů, jedná se typicky o struktury GASFET, OGFET, ADFET, SAFET, CFT, PRESSFET, ISFET, CHEMFET, REFET, ENFET, IMFET, BIOFET atd. Ucelený přehled těchto struktur se objevil v publikaci [1] již v roce 1985, článek čerpá informace z této publikace.
