Vítejte, dnes je
sobota 20.
duben
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Ve společnosti Efficient Power Conversion představili na sklonku roku 40V tranzistory eGaN® FET s odporem v sepnutém stavu 3 miliohmy. Výkonové prvky EPC2055 (na stránkách DPS Elektronika od A do Z jsme psali též Pro 48 V zvolte GaN. Nabídka tranzistorů EPC dále roste) tak mohou nabídnout menší, účinnější a ještě spolehlivější variantu k aktuálně nabízeným součástkám vhodným do špičkových aplikací s omezenou velikostí dostupného místa. Může se jednat o nabíjení baterií s využitím rozhraní USB-C, mimořádně tenká provedení měničů provozovaných přímo v místě zátěže, tzv. POL, LIDARy pro účely robotických systémů, dronů či autonomních vozidel, řešení osvětlení s LED, buzení motorů apod.
Výsledek o rozměrech 2,5 x 1,5 mm má navíc oproti předchozí generaci 40V FETů GaN při zachování nižší ceny vykazovat nejen menší rozměry, ale také vlastní parazitní vlivy. Vývojová deska ponese označení EPC90132 a její výstup zde bude možné zatížit až 25 A.
Více v celé zprávě Efficient Power Conversion (EPC) Launches 40 V eGaN FET Ideal for High Power Density Solutions for USB-C Battery Chargers and Ultra-thin Point-of-Load Converters.
robenek@dps-az.cz
