Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Ve společnosti Texas Instruments v listopadu představili vůbec první polem řízené tranzistory GaN FET s integrovaným buzením hradla (2,2 MHz), robustními ochranami a také pokročilými možnostmi pro řízení napájení, které lze navíc použít v náročném prostředí automobilového průmyslu.
U palubních nabíječek, nebo např. v rámci průmyslových, spínaných zdrojů napájení, bude proto možné s novou generací 650V a 600V GaN FETů dosahovat dvojnásobné hustoty výkonu a také maximální možné účinnosti až 99 procent, zatímco se budou dále snižovat i výsledné rozměry řešení, které tím vhodně nahrává současné elektrifikaci vozidel od kterých je vyžadováno nejen rychlejší dobíjení, ale i delší dojezd. Vyšší míra integrace zde vývojářům umožňuje, aby se zbavili více než deseti, běžně vyžadovaných součástek. Při konfiguraci v polovičním můstku má kromě toho každý z nových 30mΩ tranzistorů FET podporovat při konverzi napájení výkony až 4 kW.
Podrobněji v celé zprávě TI introduces industry's first automotive GaN FET with integrated driver, protection and active power management.
robenek@dps-az.cz
