I když tato příručka vyšla v nakladatelství Nikkey Business Publications již v roce 2012, stále neztrácí nic na své aktuálnosti. Jejím sponzorem je přední výrobce výkonových polovodičových součástek, firma ROHM Semiconductor, takže lze očekávat aktuálnost i správnost uvedených informací. V knize jsou vysvětleny základní pojmy z oblasti výkonových součástek a ukázány možnosti jejich použití. Nejdříve jsou stručně a srozumitelně popsány hlavní typy výkonových součástek, jako jsou např. MOSFET, IGBT, SBD (Schottky Barrier Diodes), FRD (Fast Recovery Diodes) a další. Následuje vysvětlení výkonových limitů těchto součástek a popis provedení a výhod nových typů SiC a GaN, které umožňují pracovat s vysokým napětím při rychlejším spínání. V závěrečné kapitole jsou uvedeny příklady možného použití výkonových součástek od různých výrobců.
– Power Devices
– Power MOSFET
– Super-Junction Power MOSFET
– IGBT
– Performance Limits of Silicon Devices (Výkonové limity Si součástek)
– Next Generation Power Device (Výkonové součástky příští generace)
– SiC wafer
– GaN wafer
– SiC and GaN
– SiC SBD
– SiC MOSFET
– SiC BJT
– SiC module
– GaN power device
– Gallium oxide
– Automotive (Automobily)
– Car audio system (Audio systémy auta)
– Railway (Železnice)
– Photovoltaic systém (Fotovoltaický systém)
– Household appliance (Domácí spotřebiče)
Publikace je určena pro každého, kdo si potřebuje ujasnit pojmy týkající se výkonových polovodičových součástek a možnosti jejich použití.
Příručka je k dispozici zdarma. Lze jí číst buď přímo online zde, nebo si ji stáhnout ve formátu PDF zde.