česky english Vítejte, dnes je neděle 29. květen 2022

S tranzistory GaN či SiC si rozumí nové sondy Teledyne LeCroy

12.05. 2022 | Měření - novinky
Autor: Jan Robenek
01.jpg

O výkonových spínacích tranzistorech poslední dobou slyšíme stále častěji zejména ve spojitosti s nitridem galia (GaN) či karbidem křemíku (SiC). Jenže samotnými elektronickými součástkami to samozřejmě nekončí. Výsledný návrh bude totiž nutné patřičně ověřit a k tomu je zapotřebí vhodných nástrojů. Jeden takový, vhodný právě pro testování či analýzu v zapojeních s výše zmiňovanými polovodiči, minulý měsíc představila společnost Teledyne LeCroy. A nepůjde o nic obyčejného, protože výrobce v této souvislosti hovoří dokonce o „nejpřesnějším měřicím systému“ (ve výsledku to znamená konkrétně 1,5 %).

Hned vedle nových, vysokonapěťových 1GHz sond DL-ISO s optickou izolací tak rovněž upotřebíme 12bitové osciloskopy (HDO®) stejné značky s vysokým rozlišením, resp. příslušný software pro testování (Power-Device). Křemíkové tranzistory MOSFET zde mají, stejně jako další polovodičové struktury IGBT, dlouhou tradici, nicméně pokrok zastavit nelze a požadavky na ještě menší elektronická zařízení s ještě větší účinností není možné jen tak ignorovat.

Více informací najdete v celé zprávě Teledyne LeCroy Develops the Most Accurate Measurement System for GaN and SiC Semiconductor Analysis.

robenek@dps-az.cz

Partneři

eipc
epci
imaps
ryston-logo-RGB-web
mikrozone
mcu
projectik