Vítejte, dnes je
sobota 28.
prosinec 2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
S velkým odporem v autech nepochodíte, zvláště když budeme uvažovat polem řízené tranzistory provozované např. v aplikacích od 30 wattů až do 0,3 kW. Stejně tak budou ale důležité i výsledné fyzické rozměry součástky.
V případě nových MOSFETů Nexperia v miniaturních pouzdrech typu LFPAK33 se výrobci podařilo dosáhnout zajímavé číselné shody: součástka zabere zhruba 3x3 mm a její odpor v sepnutém stavu Rds(on) může dosahovat pouhých 3,3 mΩ (maximum pro 10 V). 40V tranzistory (max. Vds) se pyšní nálepkou AEC-Q101, požadavky zmíněného standardu převyšují více než dvojnásobně, využijí technologie Trench 9 a v podobě verzí BUK7M3R3-40H a BUK9M3R3-40H je u hradla odlišíme podporou standarních nebo též logických úrovní (SL/LL). Nejvyšší proud Id zde pak dosahuje 80 A. Součástek jinak napočítáme rovných 16 a z pohledu vnitřního odporu či přípustné proudové zatížitelnosti se bude u výše zmíněných spínačů jednat o nejlepší výsledky v řadě. Možná náhrada struktur pouzdřených ve stylu DPAK se přímo nabízí.
Více v celé zprávě Nexperia launches 40 V low RDS(on) automotive MOSFETs in a 3x3 mm footprint for demanding powertrain applications.
robenek@dps-az.cz
