Vítejte, dnes je
středa
24.
duben
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Ve společnosti STMicroelectronics nedávno představili třetí generaci svých tranzistorů MOSFET STPOWER na bázi karbidu křemíku (SiC). Výkonové součástky se díky své moderní podobě uplatní v oblasti hnacího ústrojí elektrovozidel, ale i řadě dalších aplikací, kde mezi klíčovými požadavky skloňujeme právě hustotu výkonu, energetickou účinnost a samozřejmě také spolehlivost systému.
Výrobce v této souvislosti zmiňuje kupříkladu 800 V systémy EV se kterými lze ve výsledku dosahovat mnohem rychlejšího nabíjení, větších dojezdových vzdáleností a třeba i dalšího snižování hmotnosti vozu. Novinky ST na poli SiC byly optimalizovány přesně pro takové špičkové aplikace ze světa automobilového průmyslu, zahrnující vedle tradičních invertorů též i palubní nabíječky, DC/DC měniče nebo systémy klimatizace. Nová generace prvků však má co nabídnout i při mnohem obecnějším buzení motorů, práci s obnovitelnými zdroji energie, v úložištích, telekomunikační technice, datových centrech apod. ST přitom počítá se jmenovitým napětím od 650 V či 750 V až do 1,2 kV.
Více informací najdete v celé zprávě STMicroelectronics Drives the Future of EVs and Industrial Applications with New Silicon-Carbide Devices.
robenek@dps-az.cz
