Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Doprava, energetika, průmyslové systémy a výkonová elektronika pracující obecně s vyšším napájením, třeba pro systémy TPU, APU, SST apod. – zde všude se uplatní 3,3kV tranzistory MOSFET na bázi karbidu křemíku společně s diodami SBD (Schottky Barrier Diode), které nově rozšiřují nabídku součástek od společnosti Microchip Technology.
Menší, lehčí a ještě více účinná zařízení tak mohou nyní v této oblasti těžit z nejnižšího odporu tranzistoru v sepnutém stavu na úrovni 25 miliohmů a v případě diod třeba z jejich nejvyšší proudové zatížitelnosti 90 ampér. Jak MOSFETy, tak i SBD výrobce nabízí ve formě čipů, nebo jako zapouzdřené prvky. Pokud jde o další navyšování efektivity provozu, snižování nákladů či samotné inovace, spousta řešení odvíjejících se od návrhů založených na „křemíku“ již dosáhla svých limitů. Struktury na bázi SiC zde sice tvoří osvědčenou alternativu, nicméně dostupnost 3,3kV výkonových prvků byla až dosud rovněž omezená, na což v Microchipu reagují právě s oběma novinkami navazujícími na 700V, 1200V nebo též 1700V součástky.
Více informací najdete v celé zprávě Microchip Unveils Industry-Leading 3.3 kV Silicon Carbide (SiC) Power Devices Enabling New Levels of Efficiency and Reliability.
robenek@dps-az.cz
