Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Společnost Infineon Technologies přišla v září s novou nabídkou výkonových 30V tranzistorů MOSFET StrongIRFET™ 2, rozšiřujícími záběr stávající rodiny prvků StrongIRFET 2 s ohledem na zcela běžné využití takových součástek. Zmíněné polem řízené tranzistory tak mohou, hned vedle napětí 40 V, 80 V nebo též 100 V, nyní počítat s ještě menším Vbrdss (max). Robustní součástky se jednoduše uplatní při návrhu spínaných zdrojů napájení SMPS v průmyslové sféře, u buzení motorů, v bateriově napájených aplikacích, systémech pro řízení baterií, záložních zdrojích UPS apod.
Technologie standardních 30V struktur StrongIRFET 2 klade důraz na poměr cena / výkon a slibuje k tomu další zlepšení odporu vykazovaného v sepnutém stavu až o 40 procent nebo snížení Qg až o 60 %, budeme-li srovnávat s předchozí generací stejných FETů. 30V tranzistory jsou aktuálně k dispozici v pouzdrech typu TO-220, nicméně výrobce již brzy slibuje i další varianty, pokud jde o DPAK, D²PAK, PQFN a SuperSO8.
Více informací najdete v celé zprávě Infineon announces StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V portfolio for mass market applications.
robenek@dps-az.cz
