Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Nabídka polem řízených tranzistorů MOSFET OptiMOS™ 6 od firmy Infineon Technologies nově zahrnuje 135V a také 150V součástky. Struktury byly navržené s ohledem na požadavky budicích obvodů pro motory, spínaných zdrojů napájení SMPS, záložních systémů UPS, výkonných USB nabíječek, solárních technologií apod., zatímco s důrazem na nižší ztráty sledované při spínání zde dále doplňují nedávno představené 120V tranzistory téže řady. Vývojáři si tak mohou z různých možností vybrat vždy tu nejlepší.
Stranou zájmu však nezůstanou ani klesající výkonové ztráty při vedení proudu, což vhodně nahrává potřebám střídačů v pohonech pro elektrické vysokozdvižné vozíky, jednodušší elektrovozidla (LEV) atd. Odpor struktury v sepnutém stavu se oproti předchozí pětkové generaci 150V MOSFETů OptiMOS™ snižuje až na polovinu. Výrobce vsadil na hustotu výkonu, ale i spolehlivost, méně překmitů a lepší výsledky z pohledu rušení či EMI. Rychlejší vestavěná dioda počítá s nábojem Qrr nižším třeba o 59 procent. Široká je i nabídka různých typů pouzder.
Více informací najdete v celé zprávě OptiMOS™ 6 135 V and 150 V MOSFETs enable higher efficiency in drives and SMPS applications.
robenek@dps-az.cz
