Vítejte, dnes je
pondělí
23.
prosinec 2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Výkonové součástky se neustále vyvíjí, aby tak mohly vyhovět rostoucím požadavkům na vysokou míru učinnosti, klesající rozměry a ještě lepší technické parametry, které se v elektronických systémech následně zúročí. Společnost Microchip Technology v této souvislosti nedávno představila bipolární tranzistory IGBT 7 s izolovaným hradlem, nabízené v různých pouzdrech, topologiích a také s odlišnými proudovými či napěťovými rozsahy.
Coby klíčové stavební bloky se uplatní v oblasti elektromobility nebo např. v datových centrech. Výrobce zmiňuje střídače ve fotovoltaice, ekosystémy pracující s vodíkem, ale také zemědělskou techniku či MEA (More Electric Aircraft). Vývojáři zde mají k dispozici standardní 62mm pouzdra D3 a D4, stejně jako SP6C, SP1F či SP6LI. Z pohledu napětí se pak pohybujeme od 1200 V do 1700 V a s proudy v rozsahu od 50 A až do 900 A. Nižším ztrátám, vyšší hustotě výkonu a ještě lepší účinnosti zde nahrává klesající napětí Vce v sepnutím stavu a také snížené napětí Vf u antiparalelní diody.
Více informací najdete v celé zprávě Introducing a Wide Portfolio of IGBT 7 Power Devices Optimized for Applications Across Sustainability, E-Mobility and Data Centers.
robenek@dps-az.cz
