Vítejte, dnes je
pondělí
23.
prosinec 2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Ve společnosti ROHM vyvinuli v pořadí již čtvrtou generaci 1200V bipolárních tranzistorů IGBT s izolovaným hradlem, které lze poplatně standardům AEC-Q101 nasadit i v automobilovém průmyslu. Řešení se pyšní prvotřídně nízkými ztrátami společně s vysokou odolností vůči zkratu, tedy dobou, po kterou výkonová struktura ustojí takové podmínky, aniž by došlo k jejímu zničení – zde konkrétně 10 µs (Tj = +25 °C). Součástky se uplatní ve spojení s kompresory či HV ohřevem, jako základní stavební prvky střídačů apod.
Řada nyní zahrnuje čtyři varianty s označením RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR nebo též RGA80TSX2EHR ve dvou různých provedeních pouzder (TO-247-4L a také TO-247N), zatímco výrobce rovněž pamatuje celkem na jedenáct verzí SG84xxWN jako „bare chip“ a do budoucna ještě slibuje další rozšiřování nabídky v této oblasti. V případě diskrétního řešení v provedení TO lze při teplotě sto stupňů počítat s proudy tekoucími kolektorem o velikosti 32 A, 49 A, 54 A nebo i 69 A.
Více informací již najdete v celé zprávě ROHM’s New 1200V IGBTs Achieve Industry-Leading Low Loss Characteristics with High Short-Circuit Tolerance.
robenek@dps-az.cz
