Vítejte, dnes je
úterý
21.
leden
2025
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky Výkonové MOSFETy Nexperia zvyšují laťku. Díky pouzdrům CCPAK1212
Autor: Jan Robenek
Ve společnosti Nexperia přišli nedávno s 16 novými 80V a také 100V výkonovými tranzistory MOSFET v inovativním provedení pouzder CCPAK1212 (copper-clip), které vývojářům slibují prvotřídní hustotu výkonu.
Řešení se pyšní vysokou proudovou zatížitelností, potlačenou parazitní indukčností nebo i skvělými teplotními vlastnostmi. Součástky se tak uplatní při řízení motorů, v napájecích zdrojích, systémech s obnovitelnými zdroji energie, ale i spoustě dalších aplikací s nemalými výkony. Výrobce zde zároveň zmiňuje i specifické ASFETy (application-specific), navržené pro potřeby serverů pracujících s umělou inteligencí a související funkce „hot-swap“.
Polovodičové struktury počítají s chlazením na horní nebo také spodní straně pouzder a třeba též interaktivní dokumentací. Prvky PSMN1R0-100ASF zde konkrétně představují 100V tranzistory s odporem 0,99 mΩ, schopností vést 460 A a v případě potřeby nabídnout Ptot až 1,55 kW, to vše na ploše 12 x 12 mm.
Více informací najdete v celé zprávě CCPAK1212 package pushes the performance of Nexperia’s power MOSFETs to the next level.
robenek@dps-az.cz
