Vítejte, dnes je
středa
02.
duben
2025
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Nabídka výkonových prvků od společnosti Renesas Electronics dále roste. Nově zde např. naleznete 100V tranzistory MOSFET s kanálem N, které se uplatní v oblasti řízení motorů, systémech řízení baterie (BMS), při napájení, ale také dobíjení. Výrobce zmiňuje elektromobilitu, jízdní kola, nabíjecí stanice, elektrické nářadí, datová centra, záložní zdroje (UPS) apod.
S tím vším se nyní pojí proces REXFET-1, umožňující novým součástkám snížit jejich odpor v sepnutém stavu mezi vývody drain a source hned o 30 %, což se okamžitě promítá do klesajících ztrát ve výsledném návrhu. Snižuje se však i na poli příslušných nábojů, pokud jde o Qg (10 %), resp. Qgd (40 %).
Nové polem řízené tranzistory RBA300N10EANS a RBA300N10EHPF od firmy Renesas navíc přichází ve standardních pouzdrech TOLL a TOLG, které máme vývodově kompatibilní s produkty i od jiných výrobců. V porovnání s klasickým provedením TO-263 budou o polovinu menší a v případě pouzder TOLL je rovněž k dispozici možnost optické kontroly pájeného spoje.
Více informací najdete v celé zprávě Renesas Introduces New MOSFETs with Exceptional Performance.
robenek@dps-az.cz
