Vítejte, dnes je
sobota 19.
duben
2025
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Počítají s rozsahy od 22 V až do 200 V a nezaskočí je ani různé úrovně radiace. Řeč je o nové rodině integrovaných budičů hradel se kterými přichází na trh společnost Texas Instruments. Vždyť z rostoucí efektivity napájecího systému může, a také bude, těžit jakákoli vesmírná mise.
Novinky se pyšní přívlastky „radiation-hardened“ nebo též „radiation-tolerant“, obdržíme je v plastovém nebo také keramickém provedení pouzder a jejich smysl bude spočívat v náležitém řízení polovičního můstku, složeného z polem řízených tranzistorů FET na bázi nitridu galia, GaN. Poprvé se navíc bude jednat o záběr až do 200 V (Bootstrap), přičemž na výběr zde dále dostaneme i 60 V nebo též 22 V.
Součástky jsou samozřejmě vývodově kompatibilní a své místo si najdou napříč celým systémem. 200V prvky se uplatní třeba u pohonů nebo též i vstupní konverze napájení, řešeného solárními panely. Zbylé dvě varianty poté skloňují následnou palubní distribuci či další konverzi.
Více informací najdete v celé zprávě Industry’s first space-grade 200V GaN FET gate driver from TI helps satellites become smaller and more efficient.
robenek@dps-az.cz
