Nejnižší spotřeba nebo jen „normální“ standby? Nové SRAM to vyjádří poměrem 1:1000

Vývoj vestavných pamětí typu SRAM pro společnost Renesas v minulosti znamenal návrh prototypu s 28 nm strukturou HKMG (high-K metal gate) a rovněž špičkovou 16 nm embedded SRAM s FinFET (Fin field-effect transistor). Výrobce je kupříkladu používá ve svých systémech SoC R-Car pro oblast infotainmentu v automobilovém průmyslu. To však ale stačit nemusí.

Abychom dokázali pracovat s minimální vlastní spotřebou také v rámci internetu věcí, elektroniky v našich domácnostech nebo aplikacích pro péči o zdraví, vyvinuli ve společnosti Renesas technologii, která dynamicky řídí předpětí na substrátu a využívá přitom procesu SOTB (silicon on thin BOX, přičemž BOX zde odkazuje na „buried oxide“). V režimu standby snižuje velikost parazitních proudů a výkonově se tak ve srovnání s „běžným“ módem standby pohybuje zhruba na jedné tisícině. O prototypu nové 65 nm embedded SRAM určené pro obvody typu ASSP (Application Specific Standard Product) společnost informovala v této celé červnové zprávě.

A nebude to jen pro danou chvíli nejnižší potřeba v režimu standby na úrovni 13,7 nW/Mbit, ale rovněž i rychlý přístup k datům. V souvislosti se čtením výrobce při aktivní činnosti zmiňuje dobu 1,84 ns. Napájení z baterií již koncová aplikace mít nemusí, zvláště pak tehdy, nabídne-li nám zdroje samo okolí – např. světla, tepla nebo jen takové vibrace.

(robenek) @dps-az.cz