Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
O technologiích stavějících na nitridu galia (GaN) se poslední dobou hodně mluví – ve společnosti STMicroelectronics např. ve spojitosti s novou rodinou součástek, kombinovanými obvody MasterGaN2 vycházejícími z firemní platformy MasterGaN®. Takto vzniklé struktury typu SiP staví na dvojici tranzistorů GaN HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) v asymetrické konfiguraci a uplatní se v topologiích s aktivními usměrňovači a požadavky na měkké spínání.
650V prvky nabídnou odpor v sepnutém stavu 150 mΩ a 225 mΩ společně s optimalizovanými budiči hradla, včetně všech nezbytných ochranných mechanismů, takže s nimi vývojáři dokáží pracovat podobně jako s běžnými křemíkovými strukturami, ovšem s nepoměrně většími výhodami. K obvodům MasterGaN lze jednoduše připojit vnější součástky, jako jsou Hallova čidla nebo kontroléry – DSP, FPGA apod. Vstupy jsou pak kompatibilní s log. úrovněmi od 3,3 do 15 V. Na stránkách DPS Elektronika od A do Z jste mohli též číst Svezete se na vlně GaN? Je na vzestupu.
Více informací najdete v celé zprávě STMicroelectronics Extends MasterGaN® Family with New Device Optimized for Asymmetrical Topologies.
robenek@dps-az.cz
