Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Ve svých návrzích potřebujeme často počítat s naprosto základními polovodiči, zvláště pak tranzistory. Ve společnosti Nexperia pro tyto účely koncem května představili nové 40V výkonové MOSFETy s odporem v sepnutém stavu Rds(on) o velikosti jen 0,55 mΩ.
Řešení klade důraz na vysokou spolehlivost a používá přitom pouzdra LFPAK88 nebo, chcete-li, SOT1235. Aplikace pro automobily mohou počítat s tranzistory BUK7S0R5-40H, zatímco průmyslová zapojení pak sáhnou po spínacích prvcích PSMNR55-40SSH. V řadách 40V prvků se kromě toho jedná o součástky s nejnižším odporem Rds(on), které kdy Nexperia vyvinula.
Mnohem důležitější však budou hustoty výkonu, které zde výrobce definuje více než padesátinásobně vyšší, než je tomu v případě tradičních D2PAK. U nových MOSFETů o rozměrech 8 x 8 x 1,7 mm stojí za zmínku rovněž oblast SOA (safe operating area), kde pro 1 ms a 20 Vds uvažujeme 35 A, resp. za předpokladu 10 ms a 20 Vds pak 17 A.
Více informací najdete v celé zprávě Low RDS(on) 40 V MOSFETs from Nexperia deliver highest power density for Automotive and Industrial applications.
robenek@dps-az.cz
