Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
O karbidu křemíku se poslední dobou ve výkonové elektronice hodně mluví. Úspěch takto zvolených tranzistorů však bude záviset i na jejich správném řízení, ostatně jako vždy. Vývojáři mohou nyní sáhnout po dvou nových integrovaných obvodech s logem společnosti STMicroelectronics skupiny STGAP2SiCSN, které takové úkoly zajistí nejen rychle, ale i s patřičnou spolehlivostí danou nejen přítomnou izolační bariérou.
Jednokanálové prvky hostí pouzdra typu SO-8 a pokud již chceme vybírat, zvolíme buď verzi se samostatnými výstupy umožňujícími nezávislou optimalizaci v otázce časování, nebo sáhneme po druhé variantě, která již s jediným výstupem aktivně ošetří vše okolo Millerovy kapacity a jejího vlivu na stabilitu výkonového systému. Obvodové řešení podporuje práci s běžnou TTL či CMOS logikou a mezi vstupem a výstupem uvažuje celkové zpoždění 75 ns. V režimu proudového zdroje či nory smí při pokojové teplotě výstupem protékat až 4 A.
Více informací najdete v celé zprávě Robust Isolated SiC Gate Driver from STMicroelectronics Saves Space in Narrow SO-8 Package.
robenek@dps-az.cz
