Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Ve společnosti STMicroelectronics nedávno představili novou rodinu výkonových polovodičů GaN skupiny STPOWER, které mohou nejen výrazně snižovat spotřebu energie, ale u celé řady elektronických zařízení rovněž přispět k jejich „útlejšímu“ fyzickému řešení. Typicky se bude jednat o nabíječky, externí adaptéry pro počítače, budiče LED nebo např. zdroje napájení v televizorech či domácích spotřebičích obecně.
První součástkou se v rámci nové rodiny tranzistorů G-HEMT od ST stává 650V prvek SGT120R65AL s maximálním odporem v sepnutém stavu Rds(on) 120 mΩ, nejvyšší proudovou zatížitelností 15 A a také Kelvinovým připojením na straně vývodu Source pro zajištění optimálního buzení hradla. Tranzistor je k dispozici již nyní ve standardním provedení kompaktního pouzdra typu PowerFLAT 5×6 HV určeného k povrchové montáži a to za cenu, která při odběru jednoho tisíce kusů dosahuje tří dolarů. Již brzy pak budou k dispozici i další součástky v různých pouzdrech a také s odlišnými specifikacemi.
Více informací najdete v celé zprávě STMicroelectronics Introduces First PowerGaN Products for More Energy-Efficient, Slimmer Power Supplies.
robenek@dps-az.cz
