Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Souboj mezi srovnatelnými běžnými tranzistory a moderními součástkami na bázi nitridu galia pokračuje dál. Ve společnosti Efficient Power Conversion totiž v dubnu představili další ze svých miniatur, 350V tranzistor GaN s maximálním odporem v sepnutém stavu 80 mΩ a pulzní zatížitelností 26 A. Podpoří s ním spoustu aplikací pracujících běžně s napětím v řádu nižších stovek voltů. Výsledek v podobě součástek eGaN FET s označením EPC2050, které při odběru jednoho tisíce kusů vyjdou přibližně na tři dolary, zde přitom zabere pouze 1,95 x 1,95 mm.
Za účelem ověření parametrů a vyzkoušení přímo v praxi pak výrobce nachystal i vývojovou desku EPC90121, 350V / 4A systém polovičního můstku s vlastními budiči hradla o rozměrech 2 x 2 palce, zahrnující vedle již zmiňovaných tranzistorů FET EPC2050 rovněž buzení s prvky On-Semi, NCP51820. Řešení pamatuje na veškeré klíčové součástky, díky svému layoutu zaručuje optimální spínání a nezapomíná ani na potřebná měření, spojovaná též i s výpočtem účinnosti.
Více informací najdete v celé zprávě EPC Introduces 350 V Gallium Nitride (GaN) Power Transistor − 20 Times Smaller Than Comparable Silicon and Lower Cost.
robenek@dps-az.cz
