Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Ve společnosti Nexperia se nedávno pochlubili nejnovějšími přírůstky dotýkajícími se řady různých diskrétních součástek, které budou nyní k dispozici v „bezvývodových“ pouzdrech typu DFN, společně s SWF.
Miniaturizované a také robustní prvky, vyhovující dále z pohledu AEC-Q101, se uplatní např. v oblasti elektromobility a zahrnují zde řadu 45V, 500mA univerzálních NPN / PNP tranzistorů BC817QBH-Q a BC807QBH-Q v provedení DFN1110D-3, univerzální Schottkyho diody BAT32LS-Q a BAT42LS-Q v provedení DFN1006BD-2, rychlé spínací diody BAS21LS-Q v pouzdrech DFN1006BD-2, 50V, 100mA PNP tranzistory s vlastním rezistorem (RET) řady PDTA143/114/124/144EQB-Q v provedení typu DFN1110D-3 nebo též 60V Trench MOSFET 2N7002KQB s kanálem N a také 50V Trench MOSFET s kanálem P, BSS84AKQB, v pouzdrech DFN1110D-3. Zmíněná provedení typu DFN zde přitom ve srovnání s pouzdry SOT23 zaberou až o 90 % méně místa.
Více informací najdete v celé zprávě Nexperia widens its offering of discrete components in miniature DFN packaging with side-wettable flanks.
robenek@dps-az.cz
