Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
V souvislosti s neustále rostoucími požadavky kladenými na efektivitu provozu a také hustotu energie se ve světě výkonové elektroniky často skloňují polovodiče na bázi karbidu křemíku (na stránkách DPS Elektronika od A do Z jsme např. nedávno psali Potenciál pro úspory energie? Co třeba s tranzistory SiC třetí generace nebo Odolně, spolehlivě a hlavně výkonně s novými 3,3kV prvky SiC).
Výjimkou zde nebude ani společnost onsemi, která v květnu představila vůbec první MOSFET SiC, NTBL045N065SC1, který bude své napětí Bvdss = 650 V zaručovat v pouzdrech typu TOLL, tedy „TO-Leadless“ o rozměrech 9,90 mm x 11,68 mm x 2,30 mm se kterými se tak vymezuje vůči tradičnímu přístupu ve větším provedení typu D2PAK o sedmi vývodech. Výrobce zde stanovuje typ. odpor v sepnutém stavu 33 mΩ a v případě proudu „kolektorem“ definuje maximálně 73 A. Nové spínací prvky se uplatní v systémech napájení – od serverů až po úložiště energie.
Více informací již najdete v celé zprávě onsemi Unveils World’s First TOLL-packaged 650 V Silicon Carbide MOSFET.
robenek@dps-az.cz
