Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Společnost Efficient Power Conversion nedávno rozšířila svou nabídku nízkonapěťových tranzistorů GaN o FETy s označením EPC2066, které lze popsat napětím Vds = 40 V, proudem Id = 90 A (pulzně pak dokonce 639 A) nebo též odporem v sepnutém stavu Rds(on) na úrovni 1,1 mΩ.
Nízké ztráty a malé rozměry (6,05 mm x 2,3 mm) z nich budou činit vhodný spínací prvek např. pro sekundární stranu DC/DC měničů, které s vysokou hustotou výkonu převádí v nejnovějších serverech či systémech s umělou inteligencí vstupní napětí 40 – 60 V na výstupních 12 V.
Součástky EPC2066 by měly být kompatibilní s předchozím produktem firmy EPC čtvrté generace, tranzistorem EPC2024 (na stránkách DPS Elektronika od A do Z jsme před rokem psali též 1226 wattů na krychlový palec s eGaN FETy v návrhu 1kW zdroje). Aktuální pátá generace pak v otázce velikosti plochy vs. vykazovaného odporu v sepnutém stavu nabídne při uvážení stejných rozměrů odpor snížený o 27 procent.
Více informací již najdete v celé zprávě The Smallest 40 V, 1.1 mΩ FET in the World from EPC Enables State-of-the-Art Power Density.
robenek@dps-az.cz
