Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Společnost EPC dále rozšiřuje svůj záběr v oblasti dostupných tranzistorů FET GaN, aktuálně se 150V prvky EPC2308 v pouzdrech typu QFN s rozšířenou teplotní působností o rozměrech 3 x 5 mm navrženými pro potřeby řízení motorů v různých nástrojích či robotech, do nabíječek, spínaných zdrojů apod.
Za účelem nízkých ztrát při vedení proudu a také během spínání výrobce dosahuje malého odporu tranzistoru v sepnutém stavu na typické úrovni jen 4,9 mΩ, společně s velmi malými Qg, Qgd a Qoss. Prvky EPC2308 jsou navíc kompatibilní s dříve představenými tranzistory EPC2302 (100 V a 1,8 mΩ – na stránkách DPS Elektronika od A do Z jsme psali též Referenční návrh EPC9165 pro 48V zdroje s výkony v jednotkách kW) nebo též EPC2306 (100 V a 3,8 mΩ). Chybět zde samozřejmě nesmí ani vývojové desky, konkrétně EPC90148 coby poloviční můstek složený z tranzistorů GaN FET EPC2308, který byl navržený pro max. napětí 150 V a zatížení výstupu proudem do 12 A.
Více informací již najdete v celé zprávě Footprint Compatible Packaged GaN Family Expands to 150 V for Flexible Design of High-Power Density Applications.
robenek@dps-az.cz
