Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Vývoj tranzistorů na bázi nitridu galia se rozhodně nezastavil. Dokládá to i zpráva firmy EPC, která v polovině prosince představila další prvky početné skupiny GaN FET. Sto voltů může být někdy málo, takže výrobce nabízí též 150V tranzistory EPC2305 s odporem 3 mΩ a třeba i 200V FETy EPC2304, pro které je příznačných zase 5 mΩ. K vývojářům se dostávají v pouzdrech typu QFN s rozšířenou tepelnou působností, odhalenou ploškou na své horní straně a s rozměry dosahujícími jen 3 x 5 mm.
Výrobce se pyšní nejnižším odporem v sepnutém stavu, udávaným poplatně 150V, resp. 200V tranzistorům FET a také velikostem, které budou v porovnání s tradičními křemíkovými MOSFETy patnáctkrát nižší. Vedle polovičního odporu zde také máme více než třikrát menší QG, QGD a QOSS, resp. nulový náboj QRR (reverse recovery charge). Při tvrdém, ale také měkkém spínání lze ve výsledku dosahovat i šestinásobně nižších spínacích ztrát. Rovněž zde klesají ztráty spojované s buzením, včetně dalších rušivých projevů či překmitů.
Více informací najdete v celé zprávě Lowest On-resistance 150 V and 200 V Transistors on the Market Now Shipping from GaN Leader EPC.
robenek@dps-az.cz
