Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Počet nových tranzistorů FET s technologiemi nitridu galia neustále roste. Dokládají to i 200V součástky firmy EPC, EPC2307 s odporem v sepnutém stavu 10 mΩ, které výrobce nedávno představil v provedení typu QFN o rozměrech 3 x 5 mm a s odhalenou ploškou na horní straně pouzdra.
Novinka bude kompatibilní s dřívějšími tranzistory, jako jsou EPC2302 (100 V, 1,8 mΩ), EPC2306 (100 V, 3,8 mΩ), EPC2305 (150 V, 3 mΩ), EPC2308 (150 V, 6 mΩ) nebo též EPC2304 (200 V, 5 mΩ), což vývojářům umožňuje najít vhodný kompromis mezi odporem Rds(on) a také cenou.
Tranzistory EPC2307 lze popsat proudem Id = 48 A, resp. pulzním Id = 130 A. Uplatní se v aplikacích se synchronním usměrňováním, AC/DC nabíječkách, adaptérech, spínaných zdrojích, audio zesilovačích třídy D, při bezdrátovém přenosu energie, v lidarech apod. Pokud jde o DC/DC zdroje, součástky zde nabízí až pětinásobně vyšší hustotu výkonu, zatímco lze z pohledu EMI výrazně omezit i rušení, včetně překmitů.
Více informací najdete v celé zprávě 200 V, 10 mΩ GaN FET Joins Family of Footprint Compatible QFN Packaged Devices for High Efficiency and Design Flexibility.
robenek@dps-az.cz
