Vítejte, dnes je
neděle
29.
prosinec 2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Firma Diodes Incorporated se nedávno pochlubila nejnovějším přírůstkem v řadách součástek na bázi karbidu křemíku: SiC tranzistory MOSFET s kanálem N a označením DMWS120H100SM4.
Spínací prvek lze využít při požadavcích na rostoucí účinnost, stejně jako hustotu výkonu, např. k buzení motorů, v solárních systémech, napájecích zdrojích pro datová centra či telekomunikační systémy, DC/DC měničích, nabíjecích stanicích pro EV apod. Tranzistory DMWS120H100SM4 počítají s vyšším napětím 1 200 V a také proudem Id až 37 A, zatímco dále udržují nízké RθJC = 0,6 °C/W.
Pod zvýšenou efektivitu a minimální ztráty při vedení proudu se dále podepisuje nízký odpor v sepnutém stavu, typ. 80 mΩ, platný při buzení 15 V. Při stejném napětí Vgs výrobce rovněž stanovuje typ. náboj hradla Qg pouze 52 nC. Zmíněný produkt, vybavený dodatečnou možností snímání, je navíc prvním SiC MOSFETem v pouzdrech typu TO247-4. Při odběru dvaceti kusů vychází na 21,5 dolaru.
Více informací najdete v celé zprávě Industrial-Grade Silicon Carbide MOSFET from Diodes Incorporated Enables Higher Power Density.
robenek@dps-az.cz
