Vítejte, dnes je
neděle
24.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Když se řekne „datasheet“, každému vývojáři se okamžitě vybaví podrobný dokument, jehož délka, včetně šíře záběru souvisí s povahou té které součástky. Výjimkou zde nejsou ani výkonové, polem řízené tranzistory MOSFET.
Rychle se tak dobereme maximálních, minimálních nebo i typických úrovní, včetně spousty dalších parametrů, které však často nezohledňují bližší vzájemné souvislosti. A to je škoda, protože pak nastupují manuální výpočty a pokud to výrobce podporuje, tak třeba i simulace. To vše ale stojí spoustu času, navíc s ne zcela jistým výsledkem. Zmíněné modely nemusí být např. vůbec k dispozici, nebo nám zase nepodchytí vliv teplotních změn na chování daného prvku.
Ve společnosti Nexperia se proto rozhodli vše změnit a přišli s dynamickou dokumentací ke svým výkonovým tranzistorům MOSFET, která je souběžně k dispozici prostřednictvím webového prohlížeče. Díky posuvným prvkům lze okamžitě upravit napětí, proud, teplotu nebo i další parametry a pozorovat, co bude následovat. V takovém trendu navíc hodlá výrobce dále pokračovat.
Více informací najdete v celé zprávě Pioneering interactive datasheets from Nexperia put MOSFET behavior analysis at engineers’ fingertips.
robenek@dps-az.cz
