česky english Vítejte, dnes je sobota 28. prosinec 2024

Klíčem k účinnosti jsou nové 600V IGBT Nexperia

04.08. 2023 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Nabídka tranzistorů od společnosti Nexperia se nedávno nově rozrostla o 600V součástky IGBT. Výrobce tak reaguje na stále rostoucí požadavky v oblasti konverze napájení nebo např. řízení motorů v rozsahu výkonů od pěti až do dvaceti kW (20 kHz). Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem zde díky NGW30T60M3DF začínají na 30 A.

600V tranzistory IGBT využívají technologie FS (field-stop) a nabízí mimořádně nízké ztráty při vedení proudu, stejně jako během spínání, společně s vysokou odolností v provozu při teplotách dosahujících až +175 °C. Vývojáři pak mohou vybírat mezi řadami M3 a také H3 odlišenými buď střední nebo též i vysokou rychlostí.

Zmíněné tranzistory IGBT v pouzdrech typu TO247-3L byly kromě toho navržené tak, aby dosahovaly velmi malého rozptylu parametrů, takže lze souběžně a bezpečně provozovat větší počet prvků. Budou se rovněž hodit pro usměrňovače či obousměrné obvody nebo k ochraně před nadproudy. Výrobce navíc chystá i jejich 1200V verze.

Více informací najdete v celé zprávě New 600 V discrete IGBTs from Nexperia for class-leading efficiency in power applications.

robenek@dps-az.cz