Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Společnost Nexperia přišla nedávno s prvními tranzistory MOSFET na bázi karbidu křemíku (SiC). Představila totiž dvě 1200V diskrétní součástky takového druhu v pouzdrech typu TO-247 se třemi vývody a také odporem v sepnutém stavu Rds(on) o velikosti 40 mΩ a 80 mΩ.
„První vlaštovky“ zde ponesou označení NSF040120L3A0 a NSF080120L3A0, přičemž výrobce dále slibuje rychle rostoucí nabídku MOSFETů SiC, pokud jde o různé hodnoty odporu, ale i způsob osazení – buď pro vrtané otvory nebo k povrchové montáži. Uplatní se v oblasti elektromobility, záložních zdrojích nebo např. střídačích pro solární systémy, úložiště energie apod. Zmiňovaný odpor bude hrát z pohledu ztrát při vedení proudu klíčovou roli. Výrobce zde proto využívá inovativní technologie se kterou zajistí prvotřídní teplotní stabilitu struktury, přičemž jmenovitá úroveň Rds(on) se má napříč provozním rozsahem teplot od 25 °C do 175 °C zvýšit pouze o 38 procent.
Více informací najdete v celé zprávě Nexperia’s first SiC MOSFETs raise the bar for safe, robust and reliable power switching in industrial applications.
robenek@dps-az.cz
