česky english Vítejte, dnes je čtvrtek 26. prosinec 2024

GaN s 1250 V? InnoSwitch™3-EP má řešení

12.01. 2024 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Integrovaný obvod pro napájecí zdroje na bázi nitridu galia s jedním spínacím prvkem, který se navíc bude ve své třídě pyšnit vůbec nejvyšším napětím? V případě novinky od společnosti Power Integrations půjde nyní o 1250V strukturu PowiGaN™.

Takto vybavené součástky širší rodiny s označením InnoSwitch™3-EP zde zároveň vystupují jako nejnovější přírůstky mezi off-line QR flyback switchery s CV/CC, které nabízí synchronní usměrnění, bezpečně oddělenou zpětnou vazbu FluxLink™ a samozřejmě i různé varianty: v případě křemíku s 725 V, u karbidu křemíku 1700 V a pokud jde o naše PowiGaN™, tak i 750 V, 900 V nebo aktuálně též 1250 V.

Při tradičním srovnání spínacích ztrát vykazuje 1250V technologie PowiGaN™ oproti ekvivalentním křemíkovým součástkám, které provozujeme při stejném napětí, ztráty na méně než třetinové úrovni. Ve výsledku to pak během konverze znamená účinnost až 93 %. Vysoce kompaktní zdroje typu flyback proto mohou bez potřeby chladiče dodávat až 85 wattů.

Více informací již najdete v celé zprávě Power Integrations Releases Ground-Breaking 1250-Volt GaN Switcher IC.
Ilustrace: Business Wire

robenek@dps-az.cz