Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Ve společnosti Texas Instruments nedávno rozšíříli svou nabídku „nízkopříkonových“ řešení na bázi nitridu galia, která mají za úkol zvyšovat hustotu výkonu, maximalizovat účinnost a v tomto případě dále i zmenšovat rozměry AC/DC systémů pro spotřební elektroniku či průmysl. Polem řízené tranzistory GaN s integrovanými budiči hradla řeší otázky spojené s teplotou, pomáhají udržet chladnější adaptéry a do zátěže dodávají na menší ploše rostoucí výkony.
Nové součástky s označením LMG3622, LMG3624 a také LMG3626 se navíc pyšní nejpřesnějším sledováním proudu. Vývojáři se tak ještě vyhnou vnějším shunt rezistorům a v porovnání s tradičními obvody pro měření proudu ve spojení s diskrétními FETy, křemíkovými či GaN, sníží související ztráty až o 94 %. FETy GaN s vlastními budiči od TI spínají na vyšších rychlostech, přičemž u AC/DC aplikací s výkonem do 75 wattů stojí za účinností systému až 94 %, resp. přes 95 % v případě dále rostoucích výkonů.
Více informací najdete v celé zprávě TI expands low-power GaN portfolio, enabling AC/DC power adapters to shrink 50%.
robenek@dps-az.cz
