Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Nabídka drobných integrovaných obvodů, které mohou již brzy v režii společnosti Texas Instruments zajišťovat spolehlivé a zároveň i efektivní napájení s rostoucí hustotou výkonu se nedávno rozrostla hned o několik novinek.
Patří mezi ně kupříkladu prvky LMG2100R044 s možností chlazení na obou stranách pouzdra, horní a také spodní, ve kterých se bez rizika bondovaných spojů dále vzájemně snoubí přednosti tranzistorů FET na bázi nitridu galia v konfiguraci polovičního můstku společně s příslušnými budiči hradel. Výkonový systém počítá s napětím 90, resp. 100 V či průtokem 35 A – to vše v provedení o velikosti 5,50 × 4,50 × 0,89 mm. Další z podobně laděných novinek, LMG3100R017, zase jeden z tranzistorů GaN ubrala výměnou za proudovou zatížitelnost 97 A. Zajímavý však bude i skutečně miniaturní, pětivoltový a 1,5wattový DC/DC modul UCC33420 s integrovaným transformátorem a izolační 3kV bariérou (rms).
Více informací již najdete v celé zprávě New portfolios from TI push the limits of power design further, help engineers achieve industry-leading power density.
robenek@dps-az.cz
