Vítejte, dnes je
pátek
18.
říjen
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Společnost onsemi opět skloňuje energetickou účinnost a související úspory, které nemusí být v případě výkonové elektroniky a datových center, ale také systémů sloužících k ukládání energie z globálního pohledu vůbec zanedbatelné. Stačí si jen uvědomit ohromné nároky všech aplikací s umělou inteligencí, kdy třeba v porovnání s klasickým požadavkem při vyhledávání nyní u řešení založených na AI spotřebujeme více než desetinásobek výkonu.
S rozumnou energetickou bilancí by proto mohlo pomoci spojení rodiny tranzistorů T10 PowerTrench® nejnovější generace (SGT) a 650V MOSFETů EliteSiC, které zároveň klade důraz i na zastavěnou plochu na desce. Zvláště, když uvážíme, že k příslušné konverzi mezi napájecí sítí a procesorem dochází v takovém případě hned čtyřikrát.
Ve srovnání s předchozí generací pak u současných MOSFETů na bázi karbidu křemíku výrobce např. počítá s polovičním nábojem hradla a také menší energií uloženou ve výstupní kapacitě (Eoss), resp. nábojem Qoss zmenšeným o 44 %. Vyřešilo se též nežádoucí doznívání proudu při vypínání (tail).
Více informací najdete v celé zprávě onsemi Unveils Complete Power Solution to Improve Energy Efficiency for Data Centers.
robenek@dps-az.cz
