Firma Nexperia nedávno ohlásila, že jejich Schottkyho diody na bázi karbidu křemíku (SiC) s rozsahem 650 V a 10 A budou nyní způsobilé pracovat i v automobilovém průmyslu (PSC1065H-Q) a dostaneme je v provedení typu „real-two-pin“ (R2P) DPAK (TO-252-2). V podobném duchu výrobce zároveň nabízí součástky s proudovými rozsahy 6 A, 16 A či 20 A, řešené na způsob TO-220-2, TO-247-2 a D2PAK-2. Diody se pak uplatní v oblasti spínaných zdrojů napájení, AC/DC či DC/DC měničů, při nabíjení baterií a také řízení motorů, u záložních zdrojů, ve fotovoltaice apod.
Struktura MPS (merged PiN Schottky) zde v porovnání s obdobnými diodami SiC znamená mimořádnou odolnost vůči nárazovým proudům. Vylučuje tak potřebu dodatečných ochran a znatelně tím zjednodušuje i výsledné řešení. Vývojáři proto mohou v robustních výkonových aplikacích dosahovat na menší ploše ještě lepších účinností. Za zmínku stojí též i substrát o třetinové tloušťce pro ještě lepší (tepelné) vlastnosti součástky.
Více informací najdete v celé zprávě Nexperia’s portfolio of 650 V SiC diodes now addresses automotive and a wider range of industrial applications.
robenek@dps-az.cz