Vítejte, dnes je
sobota 23.
listopad
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Mouser Electronics, globální autorizovaný distributor nejnovějších elektronických součástek a produktů pro průmyslovou automatizaci, v těchto dnech zveřejnil ve spolupráci s firmou onsemi nový eBook. Publikace se zabývá využitím polovodičů na bázi karbidu křemíku (SiC) při návrhu napájecího systému.
Součástky zmíněného typu způsobily ve světě výkonové elektroniky převrat díky vynikajícím vlastnostem materiálu, takže mohou nyní vznikat účinnější, kompaktní a dlouhodobě udržitelné systémy napájení. V publikaci s názvem „Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics“ (Dlouhodobě udržitelná řešení díky výkonové elektronice na bázi karbidu křemíku) se firma onsemi zabývá přínosem technologie SiC, možnými aplikacemi v oblasti elektrovozidel či obnovitelných zdrojů energie a také otázkou, proč je při spolupráci tak důležité zvolit správného partnera. onsemi coby poskytovatel řešení pro napájecí systémy, kterému lze důvěřovat, nabízí vysoce kvalitní součástky SiC, spolehlivý dodavatelský řetězec a také komplexní podporu při návrhu.
Součástí eBooku jsou praktické odkazy na vybrané výkonové produkty firmy onsemi, jako je např. tranzistor MOSFET EliteSiC NTBG014N120M3P. V případě NTBG014N120M3P se jedná o 1200V planární MOSFET SiC s technologií M3P, který byl optimalizovaný pro napájecí aplikace. V kontextu záporného napěťového buzení hradla nebo i souvisejících špiček při vypínání může planární technologie zajistit spolehlivou činnost. Součástka se bude skvěle hodit pro střídače používané ve fotovoltaice, nabíjecí stanice elektromobilů, systémy sloužící k ukládání energie nebo spínané zdroje napájení.
MOSFET EliteSiC NVBG1000N170M1, který rovněž dostanete u distributora, společnosti Mouser, je zase 1700V planární součástkou (M1) s optimalizací pro rychle spínající aplikace. Struktura zde skloňuje AEC-Q101 či PPAP a ideálně se tak hodí pro použití v elektromobilech (EV), včetně jejich hybridních verzí (HEV). Přednosti součástek na bázi SiC se pak ve zmíněné oblasti promítnou do výkonových řešení, která jsou menší, lehčí a také účinnější. Ztrácí se na nich i méně energie, což povede ke snižování počtu nákladných baterií, které zde potřebujeme.
Budič hradla NCP51705 byl navržen především za účelem ovládání tranzistorů MOSFET na bázi SiC. Aby bylo možné dosahovat nejmenších možných ztrát při vedení proudu, dokáže budič zajišťovat maximální přípustné napětí hradla MOSFETu SiC. Díky vysokému špičkovému proudu při zapínání a vypínaní budou dále minimalizovány ztráty během spínání.
Izolovaný budič hradla NCP51560 se dvěma kanály je pak navržený pro rychlé spínání spojené s řízením výkonových spínacích prvků MOSFET na bázi SiC. Dva nezávislé a galvanicky oddělené kanály budiče hradla lze použít v libovolných konfiguracích, ať již půjde o dva spínače na nižší nebo i vyšší straně napájení či ovládání polovičního můstku s nastavitelnou dobou „dead time“. NCP51560 nabízí též i další důležité funkce ochran, třeba nezávislý podpěťový zámek pro oba budiče hradla.
Nový eBook od společností Mouser a onsemi si můžete přečíst po kliknutí na odkaz
Pokud si chcete prohlédnout knihovnu Mouser s publikacemi eBook od všech výrobců, navštivte stránky
