S moderními technologiemi GaN se pojí nejen rostoucí účinnost, ale také větší výstupní výkony. Ve společnosti Power Integrations proto mohli v létě představit nové členy rodiny integrovaných obvodů InnoSwitch™3 sloužících k napájení. Napříč plným rozsahem zatížení se pochlubí účinností až 95 %, přičemž uzavřená provedení adaptérů zajistí bez nutnosti chladiče až sto wattů.
Kvazirezonanční prvky InnoSwitch3-CP, InnoSwitch3-EP a InnoSwitch3-Pro nabídnou v rámci jediného pouzdra určeného k povrchové montáži jak primární, tak též sekundární či zpětnovazební obvody. V případě novinek v pouzdrech typu InSOP-24D pak spínače řešené na způsob GaN nahrazují klasické vysokonapěťové tranzistory na primární straně integrovaného obvodu. Snižují tak ztráty způsobené průchodem proudu, stejně jako spínáním. Struktury se hodí do zdrojů typu Flyback používaných v nejrůznějších nabíječkách či adaptérech s vyšší proudovou zatížitelností. Verze s koncovkou CP a EP se konfigurují hardwarovou cestou, zatímco InnoSwitch3-Pro si již bude zakládat na číslicovém rozhraní a SW řízení. K dispozici je i řada nových referenčních návrhů souvisejících s USB-PD a výkony od 60 až do 100 W.
Více v celé zprávě Power Integrations Releases Gallium Nitride-Based InnoSwitch3 AC-DC Converter ICs, ilustrace: Business Wire. Na webu DPS jsme psali též Power Integrations: když už spínáme, tak s 900V MOSFETy.
robenek@dps-az.cz